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　　中新網12月11日電 臺積電11日在美國華盛頓特區舉行的國際電子組件大會 (IEDM)中發表論文，宣布開發出同時支持模擬及數字集成電路的32納米制程技術，并成功試產出32納米2Mb靜態隨機存取記憶體(SRAM)，且已通過功能試驗。

　　據“中央社”報道，臺積電表示，成功開發出32納米制程技術，象征公司先進技術的開發邁向另一個新里程碑。

　　臺積電指出，開發出的低耗電量32納米制程技術，具備低待機耗電量晶體管、模擬及射頻功能、銅導線以及低介電系數材料導線等特色，適合用于生產可攜式產品所需的系統單晶片。

　　因應客戶不同市場需求，臺積電未來將提供包括數字、模擬、射頻以及高密度記憶體等多樣的32納米制程。